更多课程 选择中心

嵌入式培训
达内IT学院

400-111-8989

WDC推出高速存取嵌入式快闪储存装置

  • 发布:嵌入式培训
  • 来源:嵌入式资讯
  • 时间:2018-01-12 14:32

看好大数据(Big Data)与快数据(Fast Data)在行动装置应用的爆发趋势,以及即将崛起的5G与AI、AR/VR的终端资料储存需求,储存媒体大厂WDC在年底推出了基于64层3D NAND的嵌入式快闪记忆体储存晶片,提供分别支援e.MMC 5.1与UFS 2.1介面的产品

市面上的智慧型手机,普遍将快闪记忆体作为内部主要的储存装置,然而,使用一段时间之后,我们往往会发现储存空间不够用,可能是因为App本身的暂存资料越来越多,或是经常使用拍照、影片录製之后,累积了大量多媒体数位内容,这也使得手机厂商开始搭配更大的快闪储存容量。

回顾苹果近几年发表的智慧型手机规格,可以印证这股趋势的变化。例如,今年上市的iPhone 8和iPhone X是64GB、256GB,而去年推出的iPhone 7是32GB、128GB、256GB,至于更早之前上市的iPhone 5s、iPhone 6,则是提供16GB、64GB、128GB。

而对于储存媒体厂商而言,也看準这股市场需求,积极推出更大容量的嵌入式快闪记忆体装置(Embedded Flash Device,EFD)。例如,在WDC(Western Digital Corporation)的行动储存产品线当中,塬本就有iNAND 7250和iNAND 7232,可分别提供8GB、16GB、32GB、64GB,以及16GB、32GB、64GB、128GB。到了今年初,他们推出了iNAND 7350,一举将最大储存容量,提升到256GB。

在这套产品上,WDC首度採用3D NAND的快闪记忆体技术,并导入第四代的SmartSLC智慧型储存I/O架构,强化循序写入速度,可达到250 MB/s,同时,也配备第二代的指令伫列(Command Queue)功能。iNAND 7350随机读取效能也相当不错,根据该公司的内部测试,可达到2.2万IOPS,号称可超越当时市面上的e.MMC(embedded MultiMediaCard)产品。

在年底,WDC发表了更高阶的嵌入式快闪记忆体——iNAND 8521和iNAND 7550,都是採用该公司今年开始主推的64层3D-NAND技术,搭配的储存容量选择均为32GB、64GB、128GB、256GB,但所支援的介面规格有所不同,分别是UFS 2.1与e.MMC 5.1,并且因应中高阶与顶级的行动应用。

WDC嵌入与整合解决方案产品行销总监包继红表示,iNAND 8521属于旗舰型的产品,针对尖端、需要很大的随机读写能力的应用,像是5G、AI、AR、VR;而iNAND 7550则是针对主流市场的成熟应用,一方面是WDC仍旧坚持对于e.MMC产品的投资,这部份可以因应拉丁美洲、印度等新兴市场的需求,另一方面则是以此锁定350美元以下的运算装置,方便这些外型小、薄、轻的设备搭配使用。

效能提升幅度显着,写入速度最高可达到500 MB/s

相较于提供相同储存容量选择的iNAND 7232,iNAND 8521和iNAND 7550在写入效能的部分,提升程度相当显着。包继红强调, iNAND 8521是目前唯一效能可以达到500MB/s的UFS介面产品,而这就是5G应用所要求到的速度,相较之下,市面上其他实体连结介面同为High Speed Gear 3规格的产品,大多只能做到两百多MB/s。

根据WDC的内部测试,同样是128GB容量的产品,iNAND 8521的循序写入效能最高可达到500 MB/s,随机写入效能为4.5万IOPS,相当于前一代产品的2.75倍;iNAND 7500的循序写入效能最高到260 MB/s,比起前代产品,提升了60%,它的随机写入效能为1.5万IOPS。而早先推出的iNAND 7232效能表现,则分别是160 MB/s与4千IOPS。

此外,对于读取效能,两款新品也有所改进。对照iNAND 7232的随机读取效能表现,只有8800 IOPS,而新推出的iNAND 8521高达5万IOPS,是前代产品的2.75倍,而循序读取效能是800 MB/s,也大幅超越iNAND系列所有产品。WDC表示,这当中的关键在于,iNAND 8521搭配的介面是UFS 2.1,该规格的理论最大频宽高达1200 MB/s,因此I/O存取较不受到拘束;同时,iNAND 8521所用的SmartSLC技术,是WDC最新推出的第5代,当中结合了软体与硬体的加速机制。


图中的两种资料储存过程,是关于比较有无SmartSLC的差异,下图的作法是标準作法,只有区隔成控制器与TLC记忆体,而在上图显示的SmartSLC的作法当中,控制器的部分使用了SmartSLC引擎,而在记忆体的部分则分为SmartSLC、中介调节储存与TLC记忆体,而这么做的好处是能够一次传送较大的资料,而不需要一小块、一小块地传送,因此,可获得更快的I/O速度

WDC也强调,他们在这当中实作了最佳化的控制器架构,垂直整合UFS控制器、3D NAND技术、韧体,并且一手包办组装、测试、设计与开发等工作。

而另一款iNAND 7500的随机读取效能,则是2万IOPS,增长幅度也不小,WDC表示,由于能够善用e.MMC的指令伫列机制,这部份效能还是比前代产品增长35%。不过,它的循序读取效能为300 MB/s,略高于iNAND 7232,改进幅度有限。

在耐用性的比较上,iNAND 8521和iNAND 7550同样领先iNAND 7232,两款产品使用3D NAND技术的同时,也一起搭配iLDPC ECC引擎,但在这项规格上,iNAND 7550反而胜过效能较高的iNAND 8521。

因此,两款产品虽然提供的储存容量选择相同,但就效能与耐用性而论,可说是各有所长。

至于其中用到的iLDPC技术,WDC嵌入与整合解决方案产品行销经理林哲仲表示,这是基于通用的LDPC(Low-Density Parity-Check Code)演算法而来,经过他们最佳化之后,成为iLDPC,能比现行较常採用的BCH(Bose-Chaudhuri-Hocquenghem)演算法,提供更理想的错误修正能力,因此,可以大幅改进WDC快闪记忆体储存产品的耐用性和可靠度。

预约申请免费试听课

填写下面表单即可预约申请免费试听!怕钱不够?可就业挣钱后再付学费! 怕学不会?助教全程陪读,随时解惑!担心就业?一地学习,可全国推荐就业!

上一篇:一月嵌入式免费训练营开班,寻找想要就业的你!
下一篇:嵌入式产业度过芯片企业调整期后,2018年将蓬勃发展!

怎样才能学好单片机?

单片机:写1清零,写0清零,有什么区别?

嵌入式工程师一定不要乱用全局变量

嵌入式培训靠谱吗?就业怎么样?

  • 扫码领取资料

    回复关键字:视频资料

    免费领取 达内课程视频学习资料

  • 搜索抖音号

    搜索抖音号:1821685962

    免费领取达内课程视频学习资料

Copyright © 2021 Tedu.cn All Rights Reserved 京ICP备08000853号-56 京公网安备 11010802029508号 达内时代科技集团有限公司 版权所有

选择城市和中心
黑龙江省

吉林省

河北省

湖南省

贵州省

云南省

广西省

海南省